این واکنش کاربید سیلیکون ملک یک ماده سرامیکی جدید با مقاومت در برابر حرارت بالا، مقاومت در برابر اکسیداسیون، مقاومت بالا، مقاومت شدید سرد، مقاومت در برابر شوک حرارتی خوب، درجه حرارت پایین، هدایت حرارتی خوب، مقاومت در برابر سایش و مقاومت در برابر خوردگی است. این شامل انواع تکنیک های تولید مانند فن آوری پالایش خشن، تکنولوژی حفاری دقت، تکنولوژی جوشکاری و تکنولوژی آسیاب کردن سطح می شود.
تکنولوژی سنگ زنی مسطح جایگزین خالی جعلی خالص با دقت جعلی جعلی، صرفه جویی در هزینه مواد خام و صرفه جویی در هزینه های پردازش. حفاری مکانیکی اصلی به حفاری لیزر کامپیوتری و حفاری الکترولیتی با حداقل حفره های 0.1 میلیمتری تغییر یافته است.
جوشکاری معمولی عمدتا بر روی جوشکاری مقاومت الکتریکی و جوشکاری قوس آرگون است. در حال حاضر پیشرفت در استفاده از دماسنج سرامیکی با درجه حرارت بالا و جوش پرتو الکترونی تراکم انرژی بالا ساخته شده است. یک تکه تکه تکه تکه می تواند یک محصول نرم و صاف را با هماهنگی 0.0003mm تولید کند.
با توجه به سختی بالا، مقاومت در برابر خوردگی و مقاومت بالا در دمای بالا سرامیک SiC، سرامیک SiC به طور گسترده ای مورد استفاده قرار گرفته است. شایع ترین واکنش سیلیکون کاربید دی اکسید کربن هستند سیلیکون کاربید مهر و موم مهر و موم و سیلیکون کاربید سنگزنی بشکه. درجهای ضد گلوله سیلیکون کاربید، نازل سیلیکون کاربید و قطعات مغناطیسی سیلیکون کاربید. www.hshightec.com
